Análisis de efectos de mezclas de subbandas en los estados electrónicos de una impureza D° descentrada en un nanotubo cilíndrico en presencia de un campo magnético en dirección axial GaAs-Ga1-xAlxAs

Abstract

Analizaremos la variación de las energías del estado base de una impureza D° descentrada en un hilo cuántico cilíndrico de GaAs-Ga1-xAlxAs con núcleo repulsivo (Nanotubo), debido a la mezcla de las subbandas 1s y 2Pxy. Para ello extendemos el recientemente desarrollado método de dimensión Fractal, en el cual el problema de una donadora confinada en una heterojuntura semiconductora es reducido a un problema equivalente de un átomo de hidrogeno en un espacio isotrópico con una dimensión variable que depende únicamente de la distancia de separación entre el electrón y el ion impureza. Se obtendrán curvas novedosas para la energía de enlace en función de la posición de la impureza, utilizando diferentes alturas y formas de potencial de confinamiento. Algunas de estas curvas serán comparadas con las obtenidas para un modelo sin mezclas de subbandas. Mostraremos que el efecto de la mezclas de subbandas es significativo cuando el núcleo repulsivo es grande y la donadora es localizada en el pozo. Adicionalmente analizamos la densidad de estados de impurezas para una distribución aleatoria de estas en el Nanotubo considerando el efecto de la mezcla de subbandas y en ausencia de este, con potencial de confinamiento suave, rectangular y parabólico.